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ZXT13P40DE6Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP, 40V, 3A, SOT26 This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex\nmatrix structure combined with advanced assembly techniques to give\nextremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low\nvoltage switching applications.	Diodes 美台半导体	Diodes
ZXT13P40DE6QTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-23-6；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT26 T\u0026R	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXT13P40DE6TA	文件：413.78 Kbytes Page：6 Pages	40V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications. FEATURES • Extremely Low Equival 文件：413.78 Kbytes 页数：6 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXT13P40DE6TA	文件：422.37 Kbytes Page：6 Pages	40V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications. FEATURES • Extremely Low Equival 文件：422.37 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXT13P40DE6TC	文件：422.37 Kbytes Page：6 Pages	40V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications. FEATURES • Extremely Low Equival 文件：422.37 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance(Only Automotive supports PPAP)：
Automotive
Polarity：
PNP
IC (A)：
3
ICM (A)：
10
PD (W)：
1.1
hFE (Min)：
300
hFE (@ IC) (A)：
1
hFE(Min 2)：
100
hFE (@ IC2) (A)：
3
VCE(sat) Max (mV)：
25
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)：
0.1/10
VCE(sat) (Max.2) (mV)：
200
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)：
1/20
fT (MHz)：
115
RCE(sat) (mΩ)：
58
Packages：
SOT26

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