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ZXT13P40DE6TC	文件：413.78 Kbytes Page：6 Pages	40V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications. FEATURES • Extremely Low Equival 文件：413.78 Kbytes 页数：6 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXT13P40DE6TC	文件：422.37 Kbytes Page：6 Pages	40V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications. FEATURES • Extremely Low Equival 文件：422.37 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXT13P40DE6TC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-23-6；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 40V 3A SOT26	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXT13P40DE6	文件：422.37 Kbytes Page：6 Pages	40V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications. FEATURES • Extremely Low Equival 文件：422.37 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXT13P40DE6	文件：413.78 Kbytes Page：6 Pages	40V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications. FEATURES • Extremely Low Equival 文件：413.78 Kbytes 页数：6 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXT13P40DE6TA	文件：422.37 Kbytes Page：6 Pages	40V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications. FEATURES • Extremely Low Equival 文件：422.37 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

产品属性

产品编号：
ZXT13P40DE6TC
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
240mV @ 300mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 1A，2V
频率 - 跃迁：
115MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-23-6
供应商器件封装：
SOT-26
描述：
TRANS PNP 40V 3A SOT26

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