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ZXMN3A06DN8TA	文件：192.97 Kbytes Page：7 Pages	DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS= 30V; RDS(ON)= 0.035 ; ID= 6.2A DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management a 文件：192.97 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMN3A06DN8TA	文件：56.03 Kbytes Page：4 Pages	DUAL 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS= 30V; RDS(ON)= 0.035 ; ID= 6.2A DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management a 文件：56.03 Kbytes 页数：4 Pages	ZETEX	ZETEX
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详细参数

型号：
ZXMN3A06DN8TA
功能描述：
MOSFET Dl 30V N-Chnl UMOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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