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ZXMN2A04DN8TC	文件：185.25 Kbytes Page：7 Pages	DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION ThisnewgenerationofTRENCHMOSFETsfromZetexutilizesauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed.Thismakesthemidealforhighefficiency,lowvoltage,powermanagementapplications. FEATURES •Lowon-resistance •Fastswitchi	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXMN2A04DN8_15	文件：185.25 Kbytes Page：7 Pages	DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXMN2A04DN8TC	文件：962.25 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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ZXMN2A04DN8TC

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DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DESCRIPTION ThisnewgenerationofTRENCHMOSFETsfromZetexutilizesauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed.Thismakesthemidealforhighefficiency,lowvoltage,powermanagementapplications. FEATURES •Lowon-resistance •Fastswitchi

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

ZXMN2A04DN8_15

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DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

ZXMN2A04DN8TC

文件：962.25 Kbytes

Page：7 Pages

Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

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技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
No
VDS：
20 V
VGS：
N/A ±V
IDS @ TA = +25°C：
7.7 A
PD @ TA = +25°C：
2.1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
25 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
35 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
N/A V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SO-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市汇莱威科技有限公司	ZXMN2A04DN8	ZETEX/DIODES	24+	SOP-8	500990	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
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