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ZXMN2A04DN8TC	文件：56.34 Kbytes Page：4 Pages	DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES • Low on-resistance • Fast switchi 文件：56.34 Kbytes 页数：4 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXMN2A04DN8TC	文件：176.11 Kbytes Page：7 Pages	DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES • Low on-resistance • Fast switchi 文件：176.11 Kbytes 页数：7 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXMN2A04DN8TC	文件：185.25 Kbytes Page：7 Pages	DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES • Low on-resistance • Fast switchi 文件：185.25 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXMN2A04DN8TC	文件：962.25 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：962.25 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
ZXMN2A04DN8TC
功能描述：
MOSFET Dl 20V N Chnl UMOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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