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ZXMN10A11GTA	文件：647.52 Kbytes Page：8 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. •MotorControl •DC-DCConverters •PowerManagementFunctions •UninterruptedPowerSu	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXMN10A11GTA	文件：977.58 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ZXMN10A11GTA	文件：323.83 Kbytes Page：7 Pages	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXMN10A11GTC	文件：323.83 Kbytes Page：7 Pages	100VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXMN10A11K	文件：794.02 Kbytes Page：8 Pages	100VDPAKN-channelenhancementmodeMOSFET Description ThisnewgenerationtrenchMOSFETfromZetexfeaturesauniquestructurecombiningthebenefitsoflowon-resistanceandfastswitching,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •Lowon-resistance •Fastswitchingspeed •Lowthresho	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
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ZXMN10A11KTC	文件：794.02 Kbytes Page：8 Pages	100VDPAKN-channelenhancementmodeMOSFET Description ThisnewgenerationtrenchMOSFETfromZetexfeaturesauniquestructurecombiningthebenefitsoflowon-resistanceandfastswitching,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •Lowon-resistance •Fastswitchingspeed •Lowthresho	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex

详细参数

型号：
ZXMN10A11GTA
功能描述：
MOSFET 100V N-Chnl UMOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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