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ZXM61P03FTC	文件：229.66 Kbytes Page：7 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES • Low on-resistance • Fast s 文件：229.66 Kbytes 页数：7 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXM61P03F	文件：269.39 Kbytes Page：7 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：269.39 Kbytes 页数：7 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXM61P03F_05	文件：269.39 Kbytes Page：7 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：269.39 Kbytes 页数：7 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXM61P03F_15	文件：276.31 Kbytes Page：7 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：276.31 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXM61P03FTA	文件：269.39 Kbytes Page：7 Pages	30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：269.39 Kbytes 页数：7 Pages	ZETEX	ZETEX
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ZXM61P03F	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilizes a unique\nstructure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching\nspeed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power\nmanagement applications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
1.1 A
PD @ TA = +25°C：
0.625 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
350 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
550 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
4.8 nC
Packages：
SOT23

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万三科技(深圳)有限公司	ZXM61P03	Zetex Semiconductors	25+	封装	500000	源自原厂成本,高价回收工厂呆滞	询价
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