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ZXMC3A16DN8Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET; •Low Input Capacitance\n•Low Threshold\n•Low Profile SO-8 Package\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)\n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)\n•Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability\n•PPAP Capable (Note 4)\n; This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP and is ideal for use in:	DiodesDiodes Incorporated 美台半导体	Diodes
ZXMC3A16DN8TA	文件：311.25 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY30VENHANCEMENTMODEMOSFET	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXMC3A16DN8TA	文件：301.37 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY30VENHANCEMENTMODEMOSFET	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXMC3A16DN8TA	文件：318.02 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY30VENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXMC3A16DN8TC	文件：311.25 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY30VENHANCEMENTMODEMOSFET	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXMC3A16DN8TC	文件：301.37 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY30VENHANCEMENTMODEMOSFET	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXMC3A16DN8TC	文件：318.02 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARY30VENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Polarity：
N+P
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
6.4 -5.4 A
PD @ TA = +25°C：
2.1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
35
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
50
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
N/A V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
17.5
Packages：
SO-8

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