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VB20150SG-E3/8W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件:163.51 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

VB20150SG-E3SLASH4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

VB20150SG-E3SLASH8W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

VB20150SG-E3

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

Vishay

威世

VB20150SG-E3/4W

肖特基二极管与整流器 20 Amp 150 Volt Single TrenchMOS

Vishay

威世

VB20150SG-E3/4W

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VB20150SG-E3/8W

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

详细参数

  • 型号:

    VB20150SG

  • 制造商:

    VISHAY

  • 制造商全称:

    Vishay Siliconix

  • 功能描述:

    High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多VB20150SG供应商 更新时间2025-12-1 13:47:00