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VB20150SG-E3/4W	文件：167.43 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and 文件：167.43 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB20150SG-E3/4W	文件：163.51 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.51 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB20150SG-E3/4W	文件：300 bytes Page：1 Pages	肖特基二极管与整流器 20 Amp 150 Volt Single TrenchMOS	Vishay 威世	Vishay
VB20150SG-E3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO263AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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更多VB20150SG-E3/4W供应商更新时间2021-9-14 10:50:00