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VB20200G	文件：160.45 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier UltraLowVF=0.62VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathte	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VB20200G	文件：148.07 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VB20200G	文件：157.64 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VB20200G-E3	文件：215.23 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VB20200G-E3-4W	文件：160.45 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier UltraLowVF=0.62VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathte	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VB20200G-E3-8W	文件：160.45 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier UltraLowVF=0.62VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathte	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VB20200G-E3	文件：156.24 Kbytes Page：6 Pages	Low forward voltage drop, low power losses	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VB20200G-E3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO263	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VB20200G-E3/8W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO263	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

详细参数

型号：
VB20200G
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
艾睿（深圳）半导体有限公司	VB20200G-E3	VISHAY/威世	2447	TO-263	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
深圳市科雨电子有限公司	VB20200G-E3/4W	VISHAY	1809+	TO-263	3675	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	VB20200GE3/8W	Vishay Semiconductor Diodes Di	22+	TO263AB	9000	原厂渠道,现货配单	询价
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