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VB40100G-E3/8W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A

文件:167.61 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

VB40100G-E3/8W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件:163.71 Kbytes 页数:5 Pages

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威世威世科技公司

VB40100G-E3/8W

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VB40120C-E3Z/I

NA

VISHAY/威世

上传:深圳瞄钧科技有限公司

VISHAY/威世

VBPW34FASR

2-SMD

VISHAY/威世

产品属性

  • 产品编号:

    VB40100G-E3/8W

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 系列:

    TMBS®

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管配置:

    1 对共阴极

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    20A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    TO-263AB(D²PAK)

  • 描述:

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO-263-3 (D2PAK)
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更多VB40100G-E3/8W供应商 更新时间2025-12-9 14:11:00