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VB30100S-E3/8W	文件：168.56 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath te 文件：168.56 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB30100S-E3/8W	文件：149.97 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：149.97 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB30100S-E3/8W	文件：156.46 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：156.46 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB30100S-E3/8W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO263AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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更多VB30100S-E3/8W供应商更新时间2026-1-25 16:53:00