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VB20M120C	文件：105.24 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIO 文件：105.24 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VB20M120C	文件：315.28 Kbytes Page：2 Pages	Schotty Barrier Diode FEATURES · Low Forward Voltage Drop, Low Power losses · High Efficiency Operation · SMD APPLICATIONS · Switching Power Supply (SPS) · High Frequency Converter · DC/DC Converter 文件：315.28 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
VB20M120C	文件：598.1 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：598.1 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VB20M120C_V01	文件：105.24 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIO 文件：105.24 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VB20M120C-E3	文件：92.75 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Schottky technology 文件：92.75 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VB20M120C-E3/4W	文件：598.1 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：598.1 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VB20M120C-E3/8W	文件：598.1 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：598.1 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VB20M120C-E3_15	文件：84.95 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：84.95 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VB20M120C-E3SLASH4W	文件：598.1 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：598.1 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VB20M120C-E3SLASH8W	文件：598.1 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：598.1 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

详细参数

型号：
VB20M120C
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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