VB30150C-E3/8W数据手册市场行情威世VISHAY-114ic电子网

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VB30150C-E3/8W	文件：168.52 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 文件：168.52 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB30150C-E3/8W	文件：169.29 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：169.29 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB30150C-E3/8W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO263	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VB40120C-E3Z/I	文件：0 bytes Page：0 Pages	NA	VISHAY/威世上传：深圳瞄钧科技有限公司	VISHAY/威世
VBPW34FASR	文件：0 bytes Page：0 Pages	2-SMD	VISHAY/威世上传：深圳市华芯伟电子科技有限公司	VISHAY/威世

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更多VB30150C-E3/8W供应商更新时间2026-1-23 16:50:00