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VB20150SG-E3中文资料High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier数据手册Vishay规格书

厂商型号 |
VB20150SG-E3 |
参数属性 | VB20150SG-E3 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO263AB |
功能描述 | High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
封装外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
中文名称 | 威世科技 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 20:00:00 |
人工找货 | VB20150SG-E3价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
VB20150SG-E3规格书详情
特性 Features
Trench MOS Schottky technology
Low forward voltage drop, low power losses
High efficiency operation
应用 Application
For use in high frequency converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, DC/DC converters and reverse battery protection.
技术参数
- 产品编号:
VB20150SG-E3/8W
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列:
TMBS®
- 包装:
管件
- 二极管类型:
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io):
20A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 供应商器件封装:
TO-263AB(D²PAK)
- 工作温度 - 结:
-55°C ~ 150°C
- 描述:
DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO263AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
22+ |
TO-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
GENERALSEMICONDUCTORVISHAY |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
GENERALSEMICONDUCTORVISHAY |
24+ |
NA |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
询价 | ||
GENERALSEMICONDUCTORVISHAY |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
VIS |
23+ |
TO-263AB |
6000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2447 |
TO-263 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
23+ |
TO263AB |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
VISHAY |
TO-263AB |
8071 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | |||
GENERALSEMICONDUCTORVISHAY |
23+ |
NA |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 |