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VB20120S-E3 | High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier UltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD2 | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | |
VB20120S-E3 | High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB, | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | |
VB20120S-E3 | High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandin accordancetoWEEE2002/96/EC •Haloge | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandin accordancetoWEEE2002/96/EC •Haloge | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandin accordancetoWEEE2002/96/EC •Haloge | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandin accordancetoWEEE2002/96/EC •Haloge | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay |
详细参数
- 型号：
VB20120S-E3
- 功能描述：
肖特基二极管与整流器 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
- RoHS：
否
- 制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
- 产品：
Schottky Diodes
- 峰值反向电压：
2 V
- 正向连续电流：
50 mA
- 配置：
Crossover Quad
- 正向电压下降：
370 mV
- 最大功率耗散：
75 mW
- 工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
SOT-143
- 封装：
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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VISHAY |
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VISHAY |
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TO-263 |
8600 |
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VISHAY/威世 |
TO-263 |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-263 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
TO-263 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
TO-263 |
20000 |
保证原装正品,假一陪十 |
询价 |
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