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VB20120S-E3SLASH4W中文资料威世科技数据手册PDF规格书

VB20120S-E3SLASH4W
厂商型号

VB20120S-E3SLASH4W

功能描述

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

文件大小

166.29 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

Vishay威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-17 22:30:00

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VB20120S-E3SLASH4W规格书详情

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per

   JESD 22-B106

• AEC-Q101 qualified

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in

   accordance to WEEE 2002/96/EC

• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

TYPICAL APPLICATIONS

   For use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and reverse battery protection.

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