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VB20150S-E3/8W	文件：167.54 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC • Halogen-free a 文件：167.54 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB20150S-E3/8W	文件：163.61 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.61 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VB20150S-E3/8W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO263AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VB40120C-E3Z/I	文件：0 bytes Page：0 Pages	NA	VISHAY/威世上传：深圳瞄钧科技有限公司	VISHAY/威世
VBPW34FASR	文件：0 bytes Page：0 Pages	2-SMD	VISHAY/威世上传：深圳市华芯伟电子科技有限公司	VISHAY/威世

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更多VB20150S-E3/8W供应商更新时间2026-1-23 14:16:00