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VB20120S-E3/4W	文件：166.29 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC • Haloge 文件：166.29 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB20120S-E3/4W	文件：162.33 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.33 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VB20120S-E3/4W	文件：300 bytes Page：1 Pages	肖特基二极管与整流器 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS	Vishay 威世科技	Vishay
VB20120S-E3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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更多VB20120S-E3/4W供应商更新时间2021-9-14 10:50:00