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UPA828TF

NPNSILICONEPITAXIALTWINTRANSISTOR

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

UPA828TF

HIGH-FREQUENCYLOW-NOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTWINTRANSISTORWITHBUILT-IN6-PIN2x2SC5184THIN-TYPESMALLMINIMOLD

FEATURES •Lownoise NF=1.3dBTYP.@VCE=2V,IC=3mA,f=2GHz NF=1.3dBTYP.@VCE=1V,IC=3mA,f=2GHz •6-pinthin-typesmallminimoldpackageadopted •Built-in2transistors(2u2SC5184)

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

US828

Hightemperaturesettingtype,Rapidthemalresponse

Application/Copy,LBPetc.

ASAHI

Asahikeiki Co.,Ltd.

VIM-828

asdfsafsfasf

VARITRONIXVaritronix international limited

京东方精电京东方精电有限公司(香港)

Z828

ZenerBarrier

PFBeijiafu (Beijing) Process Automation Control Equipment Co., Ltd

倍加福倍加福(北京)过程自动化控制设备有限公司

Z828.H

ZenerBarrier

PFBeijiafu (Beijing) Process Automation Control Equipment Co., Ltd

倍加福倍加福(北京)过程自动化控制设备有限公司

Z828.H.F

ZenerBarrier

PFBeijiafu (Beijing) Process Automation Control Equipment Co., Ltd

倍加福倍加福(北京)过程自动化控制设备有限公司

详细参数

  • 型号:

    UPA828TD-A

  • 功能描述:

    射频双极小信号晶体管 NPN Silicn Amp Oscilltr Dul Trnsist

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 配置:

    Single

  • 晶体管极性:

    NPN

  • 最大工作频率:

    7000 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    15 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    2 V

  • 集电极连续电流:

    0.15 A

  • 功率耗散:

    1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 封装/箱体:

    SOT-223

  • 封装:

    Reel

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NEC
24+
6-MINIMOLD
100
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NEC
24+
SOT23-6
5000
只做原装公司现货
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NEC
23+
SOT23/6
8560
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SOT23/6
90000
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SOT236
50000
全新原装正品现货,支持订货
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SOT23-6
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SOT23/6
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NEC
2023+
SOT236
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专注全新正品,优势现货供应
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NA/
8250
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NEC
2025+
SOT236
3550
全新原厂原装产品、公司现货销售
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更多UPA828TD-A供应商 更新时间2025-5-18 16:00:00