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UPA863TD-T3-A	文件：726.95 Kbytes Page：27 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD	CEL California Eastern Laboratories	CEL
UPA863TD-T3	文件：387.98 Kbytes Page：30 Pages	NPNSILICONRFTWINTRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINLEAD-LESSMINIMOLD FEATURES •Lowvoltageoperation •2differentbuilt-intransistors(2SC5436,2SC5800) Q1:Built-inhighgaintransistor fT=12.0GHzTYP.,½S21e½2=9.0dBTYP.@VCE=1V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Bui	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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UPA863TD-T3-A

文件：726.95 Kbytes

Page：27 Pages

NPN SILICON RF TRANSISTOR WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS IN A 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD

CEL

California Eastern Laboratories

CEL

UPA863TD-T3

文件：387.98 Kbytes

Page：30 Pages

NPNSILICONRFTWINTRANSISTOR

NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINLEAD-LESSMINIMOLD FEATURES •Lowvoltageoperation •2differentbuilt-intransistors(2SC5436,2SC5800) Q1:Built-inhighgaintransistor fT=12.0GHzTYP.,½S21e½2=9.0dBTYP.@VCE=1V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Bui

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
UPA863TD-T3-A
功能描述：
射频双极小信号晶体管 Silicon Amp/Oscilltr Twin/Dual Transistor
RoHS：
否
制造商：
NXP Semiconductors
配置：
Single
晶体管极性：
NPN
最大工作频率：
7000 MHz 集电极—发射极最大电压
VCEO：
15 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
2 V
集电极连续电流：
0.15 A
功率耗散：
1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe
最大工作温度：
+ 150 C
封装/箱体：
SOT-223
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UPA863TD-T3-A供应商更新时间2024-5-14 9:35:00

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