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UPA861TD-T3-A	文件：271.83 Kbytes Page：11 Pages	NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
UPA861TD-T3	文件：388.65 Kbytes Page：30 Pages	NPNSILICONRFTWINTRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINLEAD-LESSMINIMOLD FEATURES •Lowvoltageoperation •2differentbuilt-intransistors(2SC5436,2SC5786) Q1:High-gaintransistor fT=12.0GHzTYP.,½S21e½2=9.0dBTYP.@VCE=1V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Lowphasedi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA861TD-T3	文件：129.4 Kbytes Page：10 Pages	NECsNPNSILICONRFTWINTRANSISTOR DESCRIPTION NECsUPA861TDcontainsoneNE894andoneNE687NPNhighfrequencysiliconbipolarchip.TheNE894isanexcellentoscillatorchip,featuringhighfTandlowcurrent,lowvoltageoperation.TheNE687isanexcellentbuffertransistor,featuringlownoiseandhighgain.NECsnewultras	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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NPNSILICONRFTWINTRANSISTOR

NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINLEAD-LESSMINIMOLD FEATURES •Lowvoltageoperation •2differentbuilt-intransistors(2SC5436,2SC5786) Q1:High-gaintransistor fT=12.0GHzTYP.,½S21e½2=9.0dBTYP.@VCE=1V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Lowphasedi

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瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

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DESCRIPTION NECsUPA861TDcontainsoneNE894andoneNE687NPNhighfrequencysiliconbipolarchip.TheNE894isanexcellentoscillatorchip,featuringhighfTandlowcurrent,lowvoltageoperation.TheNE687isanexcellentbuffertransistor,featuringlownoiseandhighgain.NECsnewultras

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深圳市永贝尔科技有限公司	UPA861TD-T3-A	CEL	23+	原厂原包	19960	只做进口原装终端工厂免费送样	询价
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更多UPA861TD-T3-A供应商更新时间2025-5-29 17:29:00

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