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UPA2716AGR

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2716AGRisP-ChannelMOSFieldEffect Transistordesignedforpowermanagementapplicationsof notebookcomputersandLithium-Ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−7.0A) RDS(on)2=11.3mΩMAX.(VGS

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

2716

64K(8Kx8)UVERASABLEPROMs

IntelIntel Corporation

英特尔

2716

BandpassFilter

GeneralDescription KR2716isa26MHzbandpassfilter.Thefilterhasaminimum0.7dBbandwidthof4MHz.Otherpassbandfrequenciesareavailable.Pleaseconsultthefactory. Features •SMAConnectors •SharpTransitiontoStopband •50ΩSourceandLoad

KR

KR Electronics, Inc.

2716

HalogenandPhosphorus-Free94V-0HolePlugs

HeycoHeyco.

海科

UPA2716GR

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2716GRisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–7.0A) RDS(on)2=11.3mΩMAX.(VGS=–4.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPA2716GR

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

详细参数

  • 型号:

    UPA2716AGR

  • 功能描述:

    MOSFET LV 8SOP

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多UPA2716AGR供应商 更新时间2025-7-30 17:06:00