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TPC8104-H	文件：327.2 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (High Speed U-MOSII) High Speed and High Efficiency DC−DC Converters Lithium Ion Battery Applications Notebook PCs Portable Equipment Applications • Small footprint due to small and thin package • High speed switching • Small gate charge : Qg = 17 nC (typ.) • Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 38 mΩ (t 文件：327.2 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPC8104-H	文件：961.34 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：961.34 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TPC8104-H	文件：300 bytes Page：1 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (High Speed U-MOSII)	Toshiba 东芝	Toshiba
TPCA8104	文件：239.56 Kbytes Page：7 Pages	High-Side Switching Applications 文件：239.56 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPCA8104	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPCC8104	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
TPC8104-H
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(High Speed U−MOSII)

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