TP65H300G4LSG数据手册Transphorm中文资料规格书

厂商型号	TP65H300G4LSG
功能描述	650V 150mΩ GaN FET in PQFN88
制造商	Transphorm Transphorm
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-8-8 20:00:00
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TP65H300G4LSG规格书详情

描述 Description

The TP65H300G4LSG 650V 240mΩ gallium nitride (GaN) FET is a normally-off device. Transphorm GaN FETs offer better efficiency through lower gate charge, faster switching speeds, and smaller reverse recovery charge, delivering significant advantages over traditional silicon (Si) devices. The TP65H300G4LSG is offered in an industry-standard 8×8 PQFN with a common source package configuration.

技术参数

制造商编号
：TP65H300G4LSG
生产厂家
：Transphorm
Rds(on)eff (mΩ) typ
：240
Rds(on)eff (mΩ) max
：312
Id (25°C) (A) max
：6.5
Package
：PQFN88
Package Variation
：Source

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