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TP65H070LDG数据手册Transphorm中文资料规格书
TP65H070LDG规格书详情
描述 Description
TP65H070LDG 650V 72mΩ 氮化镓 (GaN) FET 属于常闭型器件。Transphorm氮化镓GaN FET 通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷，提供更高的效率，明显超越传统硅 (Si) 器件，具有显著优势。TP65H070LDG 经由共源极封装配置封装在行业标准的 3 引线 PQFN88 内发售。
特性 Features
• 易于驱动 – 与标准栅极驱动器兼容
• 低传导、低开关损耗
• 低 Qrr (90nC) – 无需任何续流二极管
• GSD 引脚布局可提升高速设计
• 通过 JEDEC 认证的 氮化镓GaN技术
• 符合限制有害物质指令 (RoHS) 规范要求且不含卤素
• 实现更高效的拓扑 – 易于实施无桥图腾柱设计
• 快速切换，提高效率
• 提高功率密度
• 系统尺寸减小、重量减轻
• BOM 成本更低
技术参数
- 制造商编号
：TP65H070LDG
- 生产厂家
：Transphorm
- Rds(on)eff (mΩ) typ
：72
- Rds(on)eff (mΩ) max
：85
- Id (25°C) (A) max
：25
- Package
：PQFN88
- Package Variation
：Drain
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TRANSPHORM |
24+ |
NA/ |
3300 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
TOPRO |
02+ |
QFP208 |
3300 |
全新原装进口自己库存优势 |
询价 | ||
HARRIS |
25+ |
SOP |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
询价 | ||
TOPRO |
24+ |
QFP |
2789 |
全新原装自家现货!价格优势! |
询价 | ||
TOPRO |
2450+ |
QFP |
6540 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
NS |
24+ |
DIP-16 |
37500 |
原装正品现货,价格有优势! |
询价 | ||
TOPRO |
23+ |
QFP208 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
MOT |
24+ |
DIP |
3500 |
原装现货,可开13%税票 |
询价 | ||
HARRIS |
1998 |
SOP |
472 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
询价 | ||
TOPRO |
22+ |
QFP |
5000 |
原装现货库存.价格优势 |
询价 |
