650V GaN FET PQFN Series

Description The TP65H070L Series 650V, 72mΩ Gallium Nitride (GaN) FET are normally-off devices. They combine state-of-the-art high voltage GaN HEMT and low voltage silicon MOSFET technologies—offering superior reliability and performance. Features • JEDEC qualified GaN technology • Dynami

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650V GaN FET PQFN Series

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采用 PQFN88 封装的 650V 72mΩ 氮化镓GaN FET

TP65H070LDG 650V 72mΩ 氮化镓 (GaN) FET 属于常闭型器件。Transphorm氮化镓GaN FET 通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷，提供更高的效率，明显超越传统硅 (Si) 器件，具有显著优势。TP65H070LDG 经由共源极封装配置封装在行业标准的 3 引线 PQFN88 内发售。 • 易于驱动 – 与标准栅极驱动器兼容\n• 低传导、低开关损耗\n• 低 Qrr (90nC) – 无需任何续流二极管\n• GSD 引脚布局可提升高速设计\n• 通过 JEDEC 认证的 氮化镓GaN技术\n• 符合限制有害物质指令 (RoHS) 规范要求且不含卤素\n• 实现更高效的拓扑 – 易于实施无桥图腾柱设计\n• 快速切换，提高效率\n• 提高功率密度\n• 系统尺寸减小、重量减轻\n• BOM 成本更低;

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Description The TP65H070L Series 650V, 72mΩ Gallium Nitride (GaN) FET are normally-off devices. They combine state-of-the-art high voltage GaN HEMT and low voltage silicon MOSFET technologies—offering superior reliability and performance. Features • JEDEC qualified GaN technology • Dynami

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