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TIP33AG	文件：109.97 Kbytes Page：6 Pages	NPN High-Power Transistors Designed for general?뭦urpose power amplifier and switching Designed for general−purpose power amplifier and switching applications. Features • ESD Ratings: Machine Model, C; > 400 V Human Body Model, 3B; > 8000 V • Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in • These are Pb−Free Devices* 文件：109.97 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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详细参数

型号：
TIP33AG
功能描述：
两极晶体管 - BJT 10A 60V 80W NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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