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厂商型号

TIP33AG

功能描述

NPN High-Power Transistors Designed for general?뭦urpose power amplifier and switching

文件大小

109.97 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-10 15:40:00

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TIP33AG规格书详情

Designed for general−purpose power amplifier and switching applications.

特性 Features

• ESD Ratings:

Machine Model, C; > 400 V

Human Body Model, 3B; > 8000 V

• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in

• These are Pb−Free Devices*

产品属性

  • 型号:

    TIP33AG

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT 10A 60V 80W NPN

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
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