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BLUENRG-132	文件：5.59351 Mbytes Page：173 Pages	Bluetoothlowenergywirelesssystem-on-chip	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BLUENRG-132Y	文件：5.59351 Mbytes Page：173 Pages	Bluetoothlowenergywirelesssystem-on-chip	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BSA132B	文件：310.21 Kbytes Page：2 Pages	BASESTATIONANTENNAS	pulse Pulse Electronics	pulse
BT132	文件：53.28 Kbytes Page：6 Pages	Triacslogiclevel	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BTS132	文件：289.99 Kbytes Page：9 Pages	TEMPFET(NchannelLogiclevelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic) Features ●Nchannel ●Logiclevel ●Enhancementmode ●Temperaturesensorwiththyristorcharacteristic ●Thedrainpiniselectricallyshortedtothetab	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BTS132	文件：528.87 Kbytes Page：10 Pages	TEMPFET(NchannelLogiclevelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic) Features ●Nchannel ●Logiclevel ●Enhancementmode ●Temperaturesensorwiththyristorcharacteristic ●Thedrainpiniselectricallyshortedtothetab	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BUS132	文件：195.2 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •HighSwitchingSpeed •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=450V(Min)-BUS132 500V(Min)-BUS132A APPLICATIONS •Designedforuseinveryfastswitchingapplicationsin inductivecircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUS132A	文件：195.2 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •HighSwitchingSpeed •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=450V(Min)-BUS132 500V(Min)-BUS132A APPLICATIONS •Designedforuseinveryfastswitchingapplicationsin inductivecircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUS132H	文件：194.11 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •HighSwitchingSpeed •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=450V(Min) APPLICATIONS •Designedforuseinveryfastswitchingapplicationsin inductivecircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUW132	文件：110.68 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·HighSwitchingSpeed ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=450V(Min)-BUW132 500V(Min)-BUW132A APPLICATIONS ·Designedforuseinveryfastswitchingapplicationsininductivecircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUW132A	文件：110.68 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·HighSwitchingSpeed ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=450V(Min)-BUW132 500V(Min)-BUW132A APPLICATIONS ·Designedforuseinveryfastswitchingapplicationsininductivecircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUW132H	文件：102.31 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·HighSwitchingSpeed ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=450V APPLICATIONS ·Designedforuseinveryfastswitchingapplicationsininductivecircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BYX132G	文件：36.95 Kbytes Page：4 Pages	High-voltagecarignitiondiode DESCRIPTION Ruggedglasspackage,usingahightemperaturealloyedconstruction. TheSOD61AB2ishermeticallysealedandfatiguefreeascoefficientsofexpansionofallusedpartsarematched. Thepackageisdesignedtobeusedinaninsulatingmediumsuchasresin,oilorSF6gas. TheBYX132	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BYX132GL	文件：36.98 Kbytes Page：4 Pages	High-voltagecarignitiondiode DESCRIPTION Ruggedglasspackage,usingahightemperaturealloyedconstruction. TheSOD119ABishermeticallysealedandfatiguefreeascoefficientsofexpansionofallusedpartsarematched. Thepackageisdesignedtobeusedinaninsulatingmediumsuchasresin,oilorSF6gas. FEATURES	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
CA-132	文件：343.17 Kbytes Page：3 Pages	2-portRS-422/485PC/104moduleswithoptional2kVisolation	moxa 台湾摩莎	moxa
CA-132I	文件：343.17 Kbytes Page：3 Pages	2-portRS-422/485PC/104moduleswithoptional2kVisolation	moxa 台湾摩莎	moxa
CA-132I-T	文件：343.17 Kbytes Page：3 Pages	2-portRS-422/485PC/104moduleswithoptional2kVisolation	moxa 台湾摩莎	moxa
CA-132-T	文件：343.17 Kbytes Page：3 Pages	2-portRS-422/485PC/104moduleswithoptional2kVisolation	moxa 台湾摩莎	moxa
CH-132	文件：111.45 Kbytes Page：2 Pages	20dB,Bi-DirectionalCoupler,1-1000MHz Description Bi-DirectionalCouplersoffertheabilitytocouplethepowerintwodirectionswhilemaintainingdirectivity. Features •BroadFrequencyRange •ConstantCoupling—Within±0.5dBMax •VSWR:1.3:1Max	MACOM Tyco Electronics	MACOM
CH-132	文件：63.27 Kbytes Page：2 Pages	20dB,Bi-DirectionalCoupler,1-1000MHzRev.V3 Description Bi-DirectionalCouplersoffertheabilitytocouplethepowerintwodirectionswhilemaintainingdirectivity. Features •BroadFrequencyRange •ConstantCoupling—Within±0.5dBMax •VSWR:1.3:1Max	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM

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详细参数

型号：
TIP132-S
功能描述：
达林顿晶体管 NPN DARLINGTON 100V 8A
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TIP132-S供应商更新时间2024-5-15 16:00:00

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