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TIP142T	文件：80.07 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor Features •MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,lc=5A(Min.) •IndustrialUse •ComplementtoTIP145T/146T/147T	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
TIP142T	文件：204.61 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORS(10A,60-100V,80W) DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ...designedforgeneral-purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. 10AMPEREDARLINGTIOONCOM:EMEMTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS80WATTS TIP140T,TIP141T,TIP142T-->NPN TIP145T,TIP146T,TIP147T--->PNP	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
TIP142T	文件：52.75 Kbytes Page：4 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors Features •MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,IC=5A(Min.) •IndustrialUse •ComplementtoTIP145T/146T/147T	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
TIP142T	文件：111.12 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •HighDCCurrentGain- :hFE=1000(Min)@IC=5A •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=100V(Min) •ComplementtoTypeTIP147T APPLICATIONS •Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeed switchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TIP142T	文件：161.2 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPLANARPOWERDARLINGTONTRANSISTORS SILICONPLANARPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ForuseinPowerLinearandSwitchingApplications	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
TIP142T	文件：53.91 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS Description Thedevicesaremanufacturedinplanartechnologywith“baseisland”layoutandmonolithicDarlingtonconfiguration.Theresultingtransistorsshowexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■MonolithicDarlingtonconfiguration ■	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TIP142T	文件：571.15 Kbytes Page：5 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors -HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=2V,IC=5A(Min.) -Collector-EmitterSustainingVoltage -LowCollector-EmitterSaturationVoltage -IndustrialUse -ComplementarytoTIP145/146/147	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
TIP142T	文件：152 Kbytes Page：8 Pages	ComplementarypowerDarlingtontransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TIP142T	文件：304.26 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-220PlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-220PlasticPackage. Features Monolithicconstructionwithbuiltinbase-emittershuntresistors,HighDCcurrentgaincomplementtoTIP147T. Applications Linearandswitchingindustrialequipment.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
TIP142T	文件：574.33 Kbytes Page：5 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW

详细参数

型号：
TIP142-S
功能描述：
达林顿晶体管 NPN DARLINGTON 100V 10A
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市中福国际管理有限公司	TIP142SF	ST	21+	TO220	23480		询价
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更多TIP142-S供应商更新时间2025-5-1 10:34:00

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