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TIP147T	文件：337.6 Kbytes Page：4 Pages	PNPEpitaxialSiliconDarlingtonTransistor MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-5A(Min.) •IndustrialUse •ComplementtoTIP140T/141T/142T	SYC SYC Electronica	SYC
TIP147T	文件：415.68 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANARPOWERDARLINGTONTRANSISTORS SILICONPLANARPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ForuseinPowerLinearandSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
TIP147T	文件：137.4 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TIP147T	文件：161.2 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPLANARPOWERDARLINGTONTRANSISTORS SILICONPLANARPOWERDARLINGTONTRANSISTORS ForuseinPowerLinearandSwitchingApplications	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
TIP147T	文件：52.16 Kbytes Page：4 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors •HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-5A(Min.) •IndustrialUse •ComplementtoTIP140T/141T/142T	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
TIP147T	文件：204.61 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORS(10A,60-100V,80W) DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ...designedforgeneral-purposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. 10AMPEREDARLINGTIOONCOM:EMEMTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS80WATTS TIP140T,TIP141T,TIP142T-->NPN TIP145T,TIP146T,TIP147T--->PNP	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
TIP147T	文件：53.91 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS Description Thedevicesaremanufacturedinplanartechnologywith“baseisland”layoutandmonolithicDarlingtonconfiguration.Theresultingtransistorsshowexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features ■MonolithicDarlingtonconfiguration ■	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TIP147T	文件：152 Kbytes Page：8 Pages	ComplementarypowerDarlingtontransistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
TIP147T	文件：536.03 Kbytes Page：5 Pages	MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors -HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=-4V,IC=-3A(Min.) -Collector-EmitterSustainingVoltage -LowCollector-EmitterSaturationVoltage -IndustrialUse -ComplementarytoTIP140/141/142	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
TIP147T	文件：79.54 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPDarlingtonPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

详细参数

型号：
TIP147-S
功能描述：
达林顿晶体管 PNP DARLINGTON 100V 10A
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

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更多TIP147-S供应商更新时间2025-7-12 10:18:00

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