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BTS132	文件：289.99 Kbytes Page：9 Pages	TEMPFET (N channel Logic level Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic) Features ●Nchannel ●Logiclevel ●Enhancementmode ●Temperaturesensorwiththyristorcharacteristic ●Thedrainpiniselectricallyshortedtothetab	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BTS132	文件：528.87 Kbytes Page：10 Pages	TEMPFET(N channel Logic level Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic) Features ●Nchannel ●Logiclevel ●Enhancementmode ●Temperaturesensorwiththyristorcharacteristic ●Thedrainpiniselectricallyshortedtothetab	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BTS132	文件：332.91 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=24A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.065Ω(Max)@VGS=4.5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUS132	文件：195.2 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •HighSwitchingSpeed •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=450V(Min)-BUS132 500V(Min)-BUS132A APPLICATIONS •Designedforuseinveryfastswitchingapplicationsin inductivecircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUS132A	文件：195.2 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •HighSwitchingSpeed •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=450V(Min)-BUS132 500V(Min)-BUS132A APPLICATIONS •Designedforuseinveryfastswitchingapplicationsin inductivecircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUS132H	文件：194.11 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •HighSwitchingSpeed •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=450V(Min) APPLICATIONS •Designedforuseinveryfastswitchingapplicationsin inductivecircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUW132	文件：110.68 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·HighSwitchingSpeed ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=450V(Min)-BUW132 500V(Min)-BUW132A APPLICATIONS ·Designedforuseinveryfastswitchingapplicationsininductivecircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUW132A	文件：110.68 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·HighSwitchingSpeed ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=450V(Min)-BUW132 500V(Min)-BUW132A APPLICATIONS ·Designedforuseinveryfastswitchingapplicationsininductivecircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUW132H	文件：102.31 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·HighSwitchingSpeed ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=450V APPLICATIONS ·Designedforuseinveryfastswitchingapplicationsininductivecircuits.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BYX132G	文件：36.95 Kbytes Page：4 Pages	High-voltagecarignitiondiode DESCRIPTION Ruggedglasspackage,usingahightemperaturealloyedconstruction. TheSOD61AB2ishermeticallysealedandfatiguefreeascoefficientsofexpansionofallusedpartsarematched. Thepackageisdesignedtobeusedinaninsulatingmediumsuchasresin,oilorSF6gas. TheBYX132	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
BTS132
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BTS132供应商更新时间2025-5-28 16:36:00

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