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TF060P03M	文件：1.15776 Mbytes Page：5 Pages	Marking：TF060P03M；Package：PDFNWB3.3x3.3-8L；P -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET ●GeneralDescription TheTF060P03Mcombinesadvancedtrench MOSFETtechnologywithalowresistancepackage toprovideextremelylowRDS(ON). ●Features AdvancehighcelldensityTrenchtechnology LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss LowGateChargeforfastswitching LowThermalresist	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG

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TF060P03M

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Marking：TF060P03M；Package：PDFNWB3.3x3.3-8L；P -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

●GeneralDescription TheTF060P03Mcombinesadvancedtrench MOSFETtechnologywithalowresistancepackage toprovideextremelylowRDS(ON). ●Features AdvancehighcelldensityTrenchtechnology LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss LowGateChargeforfastswitching LowThermalresist

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拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司

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更多TF060P03M供应商更新时间2025-5-19 10:36:00

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