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TF100N03M

Marking:TF100N03M;Package:PDFNWB3.3x3.3-8L;N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

●GeneralDescription TheTF100N03MusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. ●Features Advancedeviceconstructure LowRDS(ON)tominimizeconductionloss LowGateChargeforfastswitching

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拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司

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更多TF100N03M供应商 更新时间2025-5-24 11:06:00