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TF100N03M	文件：4.67814 Mbytes Page：6 Pages	丝印：TF100N03M；Package：PDFNWB3.3x3.3-8L；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET ● General Description The TF100N03M uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) withlowgate charge. It can be used in a wide variety ofapplications. ● Features Advance device constructure Low RDS(ON) to minimize conduction loss Low Gate Charge for fast switching 文件：4.67814 Mbytes 页数：6 Pages	TUOFENG 拓锋半导体	TUOFENG
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更多TF100N03M供应商更新时间2025-10-31 11:06:00