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TFD190P03M	文件：1.96378 Mbytes Page：5 Pages	Marking：TFD190P03M；Package：PDFN3333-8L；P -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET ●GeneralDescription TheTFD190P03Mcombinesadvancedtrench MOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).TwoPChannelMOSFETinsidefordualDIEimplication. ●Features AdvancehighcelldensityTrenchtechnology LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG

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TFD190P03M

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Marking：TFD190P03M；Package：PDFN3333-8L；P -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

●GeneralDescription TheTFD190P03Mcombinesadvancedtrench MOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).TwoPChannelMOSFETinsidefordualDIEimplication. ●Features AdvancehighcelldensityTrenchtechnology LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司

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