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SVD640T | Marking：SVD640T；Package：TO-220-3L；18A, 200V N-CHANNEL MOSFET GENERALDESCRIPTION SVD640T/D/FisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryS-RinTM structuremiddle/low-voltageVDMOStechnology.Theimprovedplanar stripecellandtheimprovedguardringterminalhavebeenespecially tailore | SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司 | SILAN |
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