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SVD640T	文件：406.39 Kbytes Page：8 Pages	丝印：SVD640T；Package：TO-220-3L；18A, 200V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVD640T/D/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary S-RinTM structure middle/low-voltage VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailore 文件：406.39 Kbytes 页数：8 Pages	SILAN 士兰微	SILAN
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更多SVD640T供应商更新时间2025-9-11 8:03:00

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