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SVD13N50F	文件：533.62 Kbytes Page：8 Pages	Marking：SVD13N50F；Package：TO-220F-3L；13A, 500V N-CHANNEL MOSFET GENERALDESCRIPTION SVD13N50T/FisanN-channelenhancementmodepowerMOS fieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietary S-RinTMstructureDMOStechnology.Theimprovedplanarstripe cellandtheimprovedguardingringterminalhavebeenespecially tailoredtominimizeon-	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN

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SVD13N50F

文件：533.62 Kbytes

Page：8 Pages

Marking：SVD13N50F；Package：TO-220F-3L；13A, 500V N-CHANNEL MOSFET

GENERALDESCRIPTION SVD13N50T/FisanN-channelenhancementmodepowerMOS fieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietary S-RinTMstructureDMOStechnology.Theimprovedplanarstripe cellandtheimprovedguardingringterminalhavebeenespecially tailoredtominimizeon-

SILANSilan Microelectronics Joint-stock

士兰微杭州士兰微电子股份有限公司

SILAN

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更多SVD13N50F供应商更新时间2025-5-23 16:50:00

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