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STP25N60M2-EP中文资料N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh M2 EP功率MOSFET，TO-220封装数据手册ST规格书
STP25N60M2-EP规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 enhanced performance (EP) technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance, optimized switching characteristics with very low turn-off switching losses, rendering it suitable for the most demanding very high frequency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (COSS) profile
• Very low turn-off switching losses
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STP25N60M2-EP
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.19
- Drain Current (Dc)_max(A)
：18
- PTOT_max(W)
：150
- Qg_typ(nC)
：29
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3407 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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询价 | ||
ST |
25+ |
25000 |
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STMicroelectronics Asia Pacifi |
25+ |
SMD |
918000 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
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ST |
21+ |
TO-220 |
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ST/意法半导体 |
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TO-220-3 |
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ST(意法半导体) |
24+ |
TO-220 |
7828 |
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