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STP20N60M2-EP中文资料N-channel 600 V, 0.230 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 package数据手册ST规格书

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厂商型号

STP20N60M2-EP

参数属性

STP20N60M2-EP 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220

功能描述

N-channel 600 V, 0.230 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 package
MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220

封装外壳

TO-220-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-22 21:31:00

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STP20N60M2-EP规格书详情

描述 Description

This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 enhanced performance (EP) technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance, optimized switching characteristics with very low turn-off switching losses, rendering it suitable for the most demanding very high frequency converters.

特性 Features

• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (COSS) profile
• Very low turn-off switching losses
• 100% avalanche tested
• Zener-protected

简介

STP20N60M2-EP属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的STP20N60M2-EP晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :STP20N60M2-EP

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-220AB

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.278

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :13

  • PTOT_max(W)

    :110

  • Qg_typ(nC)

    :21.7

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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