STP18NM80数据手册ST中文资料规格书
STP18NM80规格书详情
描述 Description
These N-channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics’ revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST’s proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STP18NM80
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：800
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.295
- Drain Current (Dc)_max(A)
：17
- PTOT_max(W)
：190
- Qg_typ(nC)
：70
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST全系列 |
25+23+ |
TO-220 |
26183 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-220 |
7828 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
2511 |
TO-220-3 |
16900 |
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询价 | ||
ST |
2024+ |
N/A |
70000 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
TO-220 |
2748 |
原厂原装正品 |
询价 |
