STP18NM80中文资料N沟道800 V、0.25 Ohm、17 A MDmesh(TM) 功率MOSFET，TO-220封装数据手册ST规格书
STP18NM80规格书详情
描述 Description
These N-channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics’ revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST’s proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STP18NM80
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：800
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.295
- Drain Current (Dc)_max(A)
：17
- PTOT_max(W)
：190
- Qg_typ(nC)
：70
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3498 |
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ST |
12+ |
TO-220 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
12700 |
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询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
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ST全系列 |
25+23+ |
TO-220 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
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