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STP18NM60N中文资料N沟道600 V、0.26 Ohm典型值、13 A MDmesh(TM) II功率MOSFET，TO-220封装数据手册ST规格书
STP18NM60N规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 制造商编号
：STP18NM60N
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.285
- Drain Current (Dc)_max(A)
：13
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：35
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
20 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST/意法 |
2450+ |
TO-220 |
9850 |
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ST/意法 |
21+ |
TO-220-3 |
1773 |
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询价 | ||
ST |
24+/25+ |
5000 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
ST |
10+ |
TO-220 |
4 |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-220 |
3800 |
大批量供应优势库存热卖 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
原厂封装 |
5000 |
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询价 | ||
ST |
2018+ |
26976 |
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询价 | |||
ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
ST/意法 |
10+ |
TO-220 |
10 |
询价 |
