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STP19NF20数据手册ST中文资料规格书

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厂商型号

STP19NF20

功能描述

N沟道200 V、0.11 Ohm典型值、11 A MESH OVERLAY功率MOSFET,TO-220封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-8 12:08:00

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STP19NF20规格书详情

描述 Description

These Power MOSFETs are designed using STMicroelectronics' consolidated strip-layout-based MESH OVERLAY™ process. The result is a product that matches or improves on the performance of comparable standard parts from other manufacturers.

特性 Features

• Extremely high dv/dt capability
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitance

技术参数

  • 制造商编号

    :STP19NF20

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-220AB

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :200

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.16

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :11

  • PTOT_max(W)

    :90

  • Qg_typ(nC)

    :24

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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