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STL9P3LLH6规格书详情
描述 Description
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
技术参数
- 制造商编号
：STL9P3LLH6
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 3.3x3.3
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：-30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.0225
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.015
- Drain Current (Dc)_max(A)
：-9
- PTOT_max(W)
：3
- Qg_typ(nC)
：24
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
DFN |
6000 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
PowerFlat?(3.3x3.3) |
3000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ST |
22+ |
DFN |
6000 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 |
