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STL90N3LLH6中文资料N沟道30 V、0.004 Ohm典型值、90 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装数据手册ST规格书
STL90N3LLH6规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.
特性 Features
• RDS(on)* Qgindustry benchmark
• Extremely low on-resistance RDS(on)
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power losses
• Very low switching gate charge
技术参数
- 制造商编号
：STL90N3LLH6
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.0073
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0045
- Drain Current (Dc)_max(A)
：90
- PTOT_max(W)
：60
- Qg_typ(nC)
：17
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
1632 |
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ST/意法 |
25+ |
QFN |
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ST/意法 |
25+ |
QFN |
32360 |
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ST/意法 |
21+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
3000 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
16900 |
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ST |
2450+ |
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ST |
22+ |
8PowerVDFN |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
STM |
24+ |
QFN8 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
DFN5X6 |
12500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 |
