STL8N10F7数据手册ST中文资料规格书
STL8N10F7规格书详情
描述 Description
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
特性 Features
• 处于市面上最低的RDS(on) 行列
• 出色的品质因数（FoM）
• 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
• 坚固的抗雪崩能力
技术参数
- 制造商编号
：STL8N10F7
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 3.3x3.3
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.02
- Drain Current (Dc)_max(A)
：35
- PTOT_max(W)
：50
- Qg_typ(nC)
：25
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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STMicroelectronics |
2022+ |
8-PowerVDFN |
38550 |
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询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
NA |
860000 |
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STMicroelectronics |
21+ |
PowerFlat?(3.3x3.3) |
3000 |
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ST |
25+ |
DFN33 |
16900 |
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询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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ST/意法 |
25+ |
DFN33-8 |
20300 |
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ST |
22+ |
8PowerVDFN |
9000 |
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ST |
23+ |
DFN33 |
16900 |
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询价 | ||
ST |
2447 |
SMD |
100500 |
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