STL7N6LF3中文资料汽车级N沟道60 V、35 mOhm典型值、6.5 A STripFET F3功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装数据手册ST规格书
STL7N6LF3规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using STripFET™ F3 technology. It is designed to minimize on-resistance and gate charge to provide superior switching performance.
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• Logic level VGS(th)
• 175 °C maximum junction temperature
• 100% avalanche rated
• Wettable flank package
技术参数
- 制造商编号
：STL7N6LF3
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6 WF
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：60
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.06
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.043
- Drain Current (Dc)_max(A)
：6.5
- PTOT_max(W)
：4.3
- Qg_typ(nC)
：8.8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
2022+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
6900 |
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ST/意法 |
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DFN56-8 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
12700 |
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询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
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ST/意法半导体 |
2022+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
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询价 | ||
ST/意法 |
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ST/意法 |
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ST |
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STMicroelectronics |
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ST/意法半导体 |
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PowerFLAT-5x6-8 |
30000 |
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