STL7N10F7中文资料N沟道100 V、0.027 Ohm典型值、7 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 3.3x3.3封装数据手册ST规格书
STL7N10F7规格书详情
描述 Description
该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。
特性 Features
• N-沟道增强模式
• 与上一代相比，具有更低的R x 面积值
• 100 ％额定雪崩
技术参数
- 制造商编号
：STL7N10F7
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 3.3x3.3
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.035
- Drain Current (Dc)_max(A)
：7
- PTOT_max(W)
：50
- Qg_typ(nC)
：14
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
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ST |
22+ |
8PowerVDFN |
9000 |
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ST/意法 |
22+ |
SMD |
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ST(意法) |
23+ |
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SST |
原厂封装 |
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原装 |
25+ |
DFN3x3 |
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ST/意法 |
24+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
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全新原装现货 |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
询价 |
