STL7N10F7数据手册ST中文资料规格书
STL7N10F7规格书详情
描述 Description
该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。
特性 Features
• N-沟道增强模式
• 与上一代相比，具有更低的R x 面积值
• 100 ％额定雪崩
技术参数
- 制造商编号
：STL7N10F7
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 3.3x3.3
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.035
- Drain Current (Dc)_max(A)
：7
- PTOT_max(W)
：50
- Qg_typ(nC)
：14
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
14+ |
QFN |
30 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
SMD |
30000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
stm |
23+ |
NA |
3486 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
5500 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST |
22+ |
8PowerVDFN |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
42702 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
28000 |
原装现货只有原装.假一罚十 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
询价 |
