STL7N10F7中文资料N沟道100 V、0.027 Ohm典型值、7 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 3.3x3.3封装数据手册ST规格书
STL7N10F7规格书详情
描述 Description
该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。
特性 Features
• N-沟道增强模式
• 与上一代相比，具有更低的R x 面积值
• 100 ％额定雪崩
技术参数
- 制造商编号
：STL7N10F7
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 3.3x3.3
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.035
- Drain Current (Dc)_max(A)
：7
- PTOT_max(W)
：50
- Qg_typ(nC)
：14
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