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STL7N6LF3	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车级N沟道60 V、35 mOhm典型值、6.5 A STripFET F3功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装 This device is an N-channel Power MOSFET developed using STripFET™ F3 technology. It is designed to minimize on-resistance and gate charge to provide superior switching performance. • AEC-Q101 qualified \n• Logic level VGS(th) \n• 175 °C maximum junction temperature \n• 100% avalanche rated \n• Wettable flank package;	ST 意法半导体	ST
STL7N6LF3	文件：969.47 Kbytes Page：15 Pages	Switching applications 文件：969.47 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STL90N10F7	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST/意法 DFN5X6	ST/意法上传：深圳市富芯乐电子科技有限公司	ST/意法
STLD40DPUR	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST QFN8	ST 上传：深圳市赛特兴科技有限公司	ST
STLD40DPUR	文件：0 bytes Page：0 Pages	STM QFN8	STM 信盛上传：深圳市力拓辉电子有限公司	STM

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更多STL7N6LF3供应商更新时间2025-10-9 18:51:00